RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Confronto
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
40
Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
11.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
35
Velocità di lettura, GB/s
11.3
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
9.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1654
2607
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link