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PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
33
Intorno 18% latenza inferiore
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
33
Velocità di lettura, GB/s
13.8
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
3026
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
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