RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
94
Intorno -203% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.8
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.0
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
31
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
11.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
10.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
2605
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link