RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
94
Wokół strony -203% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
31
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
2605
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link