RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
94
Intorno -248% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.9
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.1
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
27
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
21.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
19.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
4044
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link