RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
94
Intorno -248% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
27
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
3460
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 99U5316-024.A00LF 1GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link