RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
94
Intorno -185% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
33
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
3341
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link