RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Confronto
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
37
Intorno 43% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
16.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
10.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
21
37
Velocità di lettura, GB/s
17.8
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
10.0
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2771
3170
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link