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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Confronto
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
56
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.4
1,925.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
28
Velocità di lettura, GB/s
4,315.2
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,925.7
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
658
2481
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Confronto tra le RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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