RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
56
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
1,925.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,315.2
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,925.7
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
658
2481
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Porównanie pamięci RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link