RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
53
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
1891
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link