RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сравнить
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
53
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.3
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.0
1,590.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
53
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,726.4
9.3
Скорость записи, Гб/сек
1,590.1
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
522
1891
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Сравнения RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Сравнения RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KP223C-ELD 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link