RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
53
Intorno -47% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.3
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.0
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
36
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
1891
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link