RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
56
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.4
1,925.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,315.2
14.3
Скорость записи, Гб/сек
1,925.7
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
658
2481
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Сравнения RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link