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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Confronto
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
13.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
52
Intorno -44% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
1,145.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
4200
Intorno 4.05 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
36
Velocità di lettura, GB/s
2,614.5
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,145.9
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
17000
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
409
2231
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
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