RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Confronto
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
52
Intorno -73% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
1,145.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
4200
Intorno 4.05 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
30
Velocità di lettura, GB/s
2,614.5
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,145.9
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
17000
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
409
3413
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link