Confronto tra le RAM A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

Punteggio complessivo

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

25 52

Intorno -108% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.7 1,145.9

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 4200

Intorno 5.07 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock

4-4-4-12 / 533 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

409 2704

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns