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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
54
Intorno -59% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
34
Velocità di lettura, GB/s
9.2
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
2665
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
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