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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
54
Por volta de -59% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
34
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
12.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
2665
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
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