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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Confronto
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
52
Intorno -53% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
1,145.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
4200
Intorno 6.1 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
34
Velocità di lettura, GB/s
2,614.5
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,145.9
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
25600
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
409
2584
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
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Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
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