Confronto tra le RAM A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Punteggio complessivo

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

24 52

Intorno -117% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.1 1,145.9

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 4200

Intorno 4.57 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

4-4-4-12 / 533 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

409 2852

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns