RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
66
Intorno -128% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
29
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
3140
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5428-017.A00LF 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link