RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Comparar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
66
Por volta de -128% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
29
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
12.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
3140
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link