RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
66
Wokół strony -128% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3140
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link