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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
66
Intorno -78% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.5
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
37
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
9.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
1949
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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