RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
66
Intorno -78% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.5
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
37
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
9.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
1949
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link