RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
66
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.5
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
37
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
9.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
1949
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link