RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
66
Около -78% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.5
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
37
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
9.5
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
1949
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link