RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
66
Около -78% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.5
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
37
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
9.5
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
1949
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link