A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Punteggio complessivo
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    41 left arrow 66
    Intorno -61% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    7.8 left arrow 2
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    6.1 left arrow 1,557.9
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 6400
    Intorno 2.66 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    66 left arrow 41
  • Velocità di lettura, GB/s
    2,775.5 left arrow 7.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,557.9 left arrow 6.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    382 left arrow 1512
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti