RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
12.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
46
Intorno -35% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
34
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
3178
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link