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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
12.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
46
Intorno -28% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
36
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
2871
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
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