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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
13.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
46
Intorno -59% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
29
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
3285
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
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