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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
16.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
46
Intorno -28% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
36
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
16.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
3564
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
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