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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
46
Intorno -44% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
32
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
3208
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
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Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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