RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
46
Около -44% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
17.3
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
3208
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link