RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
12.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
46
Intorno -35% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
34
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
2902
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link