RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
12.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
46
Intorno -48% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
31
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
2605
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link