RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Comparar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,061.2
12.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
46
Por volta de -48% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,937.3
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,061.2
12.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
759
2605
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link