RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
68
Intorno 32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
2,061.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
68
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
2007
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link