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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
13.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
46
Intorno -35% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
34
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
2780
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
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