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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Confronto
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
69
Intorno -245% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
1,441.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
20
Velocità di lettura, GB/s
3,325.1
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,441.2
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
3410
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
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