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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
69
左右 -245% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.1
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
20
读取速度,GB/s
3,325.1
19.0
写入速度,GB/s
1,441.2
15.1
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
3410
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM的比较
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
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