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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
5.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
87
左右 -235% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
26
读取速度,GB/s
3,155.6
11.8
写入速度,GB/s
870.4
5.3
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
1884
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology 11137401 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
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