RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
69
Autour de -245% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
20
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
3410
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link