RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
54
Intorno 15% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
11.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
54
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
2511
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link