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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
総合得点
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
総合得点
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
46
54
周辺 15% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
4
15.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,061.2
11.6
テスト平均値
考慮すべき理由
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
6400
周辺 4 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
54
読み出し速度、GB/s
4,937.3
15.7
書き込み速度、GB/秒
2,061.2
11.6
メモリ帯域幅、mbps
6400
25600
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
759
2511
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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