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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

総合得点
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

総合得点
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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    46 left arrow 54
    周辺 15% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 15.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,061.2 left arrow 11.6
    テスト平均値
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 6400
    周辺 4 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 54
  • 読み出し速度、GB/s
    4,937.3 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,061.2 left arrow 11.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    759 left arrow 2511

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAMの比較

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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
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メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
メモリRAM
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
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メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
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Kingston 9905744-062.A00G 32GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
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