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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
10.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
46
Intorno -35% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
34
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
2789
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
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