RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
46
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2789
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link