RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
13.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
46
Intorno -28% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
36
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
3351
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB Confronto tra le RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link