Confronto tra le RAM AMD R5316G1609U2K 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

AMD R5316G1609U2K 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Punteggio complessivo

AMD R5316G1609U2K 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
AMD R5316G1609U2K 8GB

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

24 73

Intorno -204% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

16 6.3

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.5 5.2

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 12800

Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

AMD R5316G1609U2K 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1309 2925

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns