RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
AMD R5316G1609U2K 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
AMD R5316G1609U2K 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R5316G1609U2K 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
73
Около -204% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
6.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
24
Скорость чтения, Гб/сек
6.3
16.0
Скорость записи, Гб/сек
5.2
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1309
2925
AMD R5316G1609U2K 8GB Сравнения RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link